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€
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1 Widerstand
Angebot |
Genauigkeit |
Lösung |
20Ω |
± (1,2% des RDG + 30dgts) |
0.01Ω |
200Ω |
± (1,0% RDG + 20dgts) |
0.1Ω |
2kOhm |
1Ω |
|
20KΩ |
10Ω |
|
200KΩ |
100Ω |
|
2MΩ |
± (2,0% RDG + 20dgts) |
1 kOhm |
20MΩ |
± (2,0% RDG + 25dgts) |
10 k |
200MΩ |
± (5,0% RDG + 25dgts) |
100 kOhm |
2000MΩ |
± (10,0% der RDG + 35dgts) |
1 M & OHgr |
Überlastschutz: 250V DC / 250 Veff AC für alle Bereich.
2 Kapazität
Angebot |
Genauigkeit |
Lösung |
2000pF |
± (2,5% des RDG + 30dgts) |
1 pF |
20nF |
± (2,5% des RDG + 25dgts) |
10 pF |
200 nF |
± (2,5% des RDG + 30dgts) |
100 pF |
2uF |
± (2,5% des RDG + 30dgts) |
1nF |
20uF |
10nF |
|
200uF |
± (7,0% der RDG + 50dgts) |
0.1uF |
3 Induktivität
Angebot |
Frequenz |
Genauigkeit |
Lösung |
20 mH |
100Hz |
± (2,5% des RDG + 25dgts) |
0.01mH |
200mH |
100Hz |
0.1mH |
|
2H |
100Hz |
1mH |
|
20H |
100Hz |
10mH |
4 Transistor hFE Test
Angebot |
Beschreibung |
Testbedingung |
hFE |
Anzeige lesen ca. .hFE Wert |
Bast Aktuelle ca. 10uA Vce ca. 3V |
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