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1 Résistance
Gamme |
Précision |
Résolution |
20Ω |
± (1,2% de RDG + 30dgts) |
0.01Ω |
200Ω |
± (1,0% val + 20dgts) |
0.1Ω |
2 kQ |
1Ω |
|
20KΩ |
10Ω |
|
200KΩ |
100Ω |
|
2 MQ |
± (2,0% val + 20dgts) |
1k |
20MΩ |
± (2,0% val + 25dgts) |
10kO |
200MΩ |
± (5,0% de RDG + 25dgts) |
100 kQ |
2000MΩ |
± (10,0% de RDG + 35dgts) |
1MΩ |
Protection contre les surcharges: 250V DC / AC 250Vrms pour toute la gamme.
2 capacitance
Gamme |
Précision |
Résolution |
2000PF |
± (2,5% val + 30dgts) |
1pF |
20nF |
± (2,5% val + 25dgts) |
10pF |
200nF |
± (2,5% val + 30dgts) |
100pF |
2UF |
± (2,5% val + 30dgts) |
1nF |
20uF |
10nF |
|
200uF |
± (7,0% de RDG + 50dgts) |
0.1uF |
3 Inductance
Gamme |
La fréquence |
Précision |
Résolution |
20mH |
100Hz |
± (2,5% val + 25dgts) |
0.01mH |
200mH |
100Hz |
0.1mH |
|
2H |
100Hz |
1 mH |
|
20H |
100Hz |
10mH |
Test hFE 4 transistor
Gamme |
La description |
Condition de test |
hFE |
Affichage lecture valeur approximative .hFE |
Bast courant environ 10 uA VCE environ 3V |
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